你在这里
DataFlash SPI的记忆
DataFlash™SPI的记忆
最有效的闪存数据日志记录
DataFlash先进的双SRAM缓存架构使得它最有效的内存数据日志记录。它还包含了一套高级功能,节省系统功率,减少处理器开销,简化软件开发,并提供全面的数据安全性和完整性的选择。
- 字节/网页编程
- 快速页面删除
- 低功耗模式
- 停电保护
- 数据的完整性和安全性
关键特性
- 宽Vcc
- 双SRAM缓冲
- 低功耗操作扩展系统电池寿命
- Byte-write提供串行eepm功能在一个串行闪存设备
- 超深在> 400 na断电操作
- 扩展Vcc操作允许系统内存操作在整个电压范围
- 全面安全和惟一的ID特性保护设备以外的篡改
DataFlash™SPI的记忆
密度 | 产品/数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 | 买 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
64 mbit | AT45DB641E | 104兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
32兆比特 | AT45DB321E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
32兆比特 | AT45DQ321 | 70 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | 生产 | 订单样品 | ||
32兆比特 | AT45DQ321 (105°C) | 40 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | 生产 | 订单样品 | ||
16 mbit | AT45DB161E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
16 mbit | AT45DQ161 | 100兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | 生产 | 订单样品 | ||
8兆比特 | AT45DB081E | 133兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
4兆比特 | AT45DB041E | 104兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
4兆比特 | AT45DB041E (125°C) | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
2 mbit | AT45DB021E | 70兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB641E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MWHN-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-MWHN-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-CCUN-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB641E-UUN-T | WLCSP——接触Adesto |
AT45DB641E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MWHN2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-CCUN2B-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB641E-UUN2B-T | WLCSP——接触Adesto |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB321E-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB321E-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-MWHF-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MWHF-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MWHF2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHFHA-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHFHC-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ321-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ321-MWHF-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-MWHF-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DQ321-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-MWHF2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB161E-MHD-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHD-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHD2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-SHD-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHD-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHD2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SSHD-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHD-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHD2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SSHF-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHF-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHF2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-UUF2B-T | 11-WLCSP |
AT45DB161E-UUF-T | 11-WLCSP |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ161-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-SSHF-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-SSHF-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DQ161-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHF2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-SHFHB-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHB-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-SHFHD-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHD-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB081E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB081E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB041E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB021E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB021E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHFHB-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-SHFHB-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SHNHT-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SHNHT-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SSHNHT-B | SOIC 105毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SSHN-T | SOIC 105毫升8 s1 8 |
微米M25PE替代品
密度 | 产品/数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 | 买 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
16 mbit | AT25PE16 | 85兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
8兆比特 | AT25PE80 | 85兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
4兆比特 | AT25PE40 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 | ||
2 mbit | AT25PE20 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | 生产 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE16-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE16-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE16-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE16-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE16-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE16-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE20-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE20-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE20-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE20-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE20-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE20-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE40-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE40-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE40-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE40-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE40-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE40-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE80-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE80-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE80-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE80-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE80-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE80-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
资源
产品简介和总结
- DataFlash产亚博电竞菠菜品概述(491.34 KB)
应用笔记
- AN005牧师主动中断证明更低的能耗(873.64 KB)
- AN111:实现超深断电模式AT25xx系列和AT45xx系列(339.24 KB)
- AVR116:穿DataFlash水准(628.62 KB)
- AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR DataFlash(149.29 KB)
- AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR和DataFlash - Zip(12.73 KB)
- DataFlash二进制页面大小(129.17 KB)
- DataFlash: SRAM缓冲区读取特性描述(451.4 KB)
- DataFlash®和串行Flash BGA包(619.13 KB)
- 也没有闪存擦除操作(807.16 KB)
- 停电期间保存数据使用DataFlash®e系列家庭(562.52 KB)
- VCC关机、断电和权力DataFlash家族(270.42 KB)
布局指南
- PCB设计和布局考虑Adesto内存设备(313.89 KB)
用户指南和手册
- 转换向导微米EOL M45PE产品亚博电竞菠菜(276.43 KB)
- DataFlash Verilog模型用户手册(50.32 KB)
- 用户手册DataFlash硬件描述语言(VHDL)模型(35.26 KB)
- 对话框对话框SoC产品的闪存亚博电竞菠菜(251.64 KB)
一般
- Adesto串行Flash节电特性和概念(1.22 MB)
- DataFlash内存产品选择器亚博电竞菠菜(246.51 KB)
- DataFlash®- l:页面删除串行闪存产品概述(222.93 KB)