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CBRAM®技术

突破电阻RAM (ReRAM)技术

速度和功耗问题,特别是在现代边缘计算和人工智能应用程序构成物联网(物联网)。亚博国际官网平台网址标准,现成产品内存产品不能满足这些需求。亚博电竞菠菜我们所需要的是一个突破内存技术,可以满足要求的数十亿电池装置边缘的互联网上交流。

自2007年以来,对话框(通过收购Adesto)已经率先研制开发电阻随机存取存储器技术,我们在业界公认为我们强大的专利组合。我们已经导电桥接RAM (CBRAM)电阻内存技术从原子到电路产品。亚博电竞菠菜我们技术包括一个基本的理解物理,材料和设计要求productize电阻记忆,与生态系统和丰富的经验;从原材料到成品设备制造业。

为什么ReRAM ?

电阻内存,特别是对话框的CBRAM,提供了显著的优势,超过其他非易失性内存技术:

速度和力量
适合嵌入式NVM
在内存中计算
能宽容的恶劣环境

要求应用程序的性能亚博国际官网平台网址

CBRAM的一个显著优势是bit-cells很快的写操作(< 1人)相比,标准的闪存技术(~ 1 ms),也不需要一点pre-erased。这使得写操作CBRAM产品20倍的速度比标准的flash,而消费少10——亚博电竞菠菜100倍的能量。

显著延长电池寿命

对话框的CBRAM技术是一种非易失性内存ReRAM突破技术。它消耗很少的能量比今天的主要记忆不牺牲性能或可靠性。离散非易失性存储器(NVM)技术可以达到50 - 100 x低权力读/写操作而有竞争力的解决方案。

CBRAM,设计师可以延长电池寿命的系统和/或使用更小的电池,甚至设计系统通过能量收获battery-free操作。因为CBRAM可以承受医疗灭菌过程,这也是理想的智能医疗设备。

莫内塔vs弗拉姆号:读-断电写的比较

莫内塔vs eepm:读——断电,写的比较

一看里面CBRAM

创建对话框的CBRAM记忆通过应用fab-friendly,专利金属化和电介质堆栈层标准CMOS互连金属层之间。结果是一个优越的NVM技术很容易嵌入到标准逻辑流。

CBRAM技术依赖于电化学制造和打破的导电连接。这个过程变化的电阻CBRAM存储元素用于表示数据。导电连接的稳定性和能承受很高的热应力。

视图对话框的电阻存储器体系结构。数据存储为一个健壮的导电桥与传统浮栅的指控

截面CBRAM产品演示了一种轻松的集成标准CMOS工艺。

CBRAM的工作原理;数据存储为强劲的导电连接由电压和电流。

CBRAM用于大量应用程序要求的环境和条件。亚博国际官网平台网址与其他非易失性内存技术,CBRAM提供了一个健壮的解决方案,适合恶劣环境。

能宽容的恶劣环境
测试	条件	结果
γ	200年kgy的(20 m rad)	通过了
电子束	200年kgy的(20 m rad)	通过了
重离子	75伏·厘米²/毫克	通过了
高温度(SMT)	10分钟@ 260ºC	通过了
磁场	~ 10³高斯	通过了
紫外线	30分钟@ 12 mw /厘米²	通过了