烧写片外flash
你好,Dialog,
我们的项目使用DA14681+16Mb外置Flash,PCB板留出Flash的测试点(QSPI+V18+GND)。
量产时通过Flash测试点烧写固件:只对V18测试点供电,不对DA14681供电,这种烧写方式是否正确?是否会损害DA14681?
你好,Dialog,
我们的项目使用DA14681+16Mb外置Flash,PCB板留出Flash的测试点(QSPI+V18+GND)。
量产时通过Flash测试点烧写固件:只对V18测试点供电,不对DA14681供电,这种烧写方式是否正确?是否会损害DA14681?