SLG46880V上的F(1)宏电池模拟问题
我正在使用SLG46880V设备上的F(1)计算宏。当使用来自专用模拟比较器引脚的输入上的电池执行计算时,它会对F(1)块的输出路由到FSM转换输入,状态在模拟中不会正确转换。
当从常规连接矩阵路由输入时,它似乎正常工作。请参阅链接到图像和exaple文件:
我正在使用SLG46880V设备上的F(1)计算宏。当使用来自专用模拟比较器引脚的输入上的电池执行计算时,它会对F(1)块的输出路由到FSM转换输入,状态在模拟中不会正确转换。
当从常规连接矩阵路由输入时,它似乎正常工作。请参阅链接到图像和exaple文件:
嗨,大家好,
我们在GreenPak3设计师V6.12中实施了比较滞后,并没有看到我们预期的结果。似乎该软件正在为预期的预期提供误导的指导。在查找比较符的描述时,它说:
200mv:是+ 0mV和-200mV滞后。对于VREF = 1V,触发点将是1V和0.8V。仅适用VREF内部;
但是,软件显示了1000mV典型的acmp阈值的源:
V_IH(MV)1100和V_IL(MV)900
Arch_Main.c中有一个错误
CS_Table当前声明为UInt8_t数组,因此具有对齐1。但是,在引导期间,存在将16位数据存储到此缓冲区中的存储指令。
我碰巧在我的应用程序中有变量,当我查看.map文件时,使CS_Table获得一个奇怪的地址。然后在引导期间执行硬盘处理程序。
在我改变__Attribute __((第(“cs_area”),zero_init))到__Attribute __((“cs_area”),zero_init,对齐(2))),它再次运行良好。