你好,
我试图重现图1中AN-B-011“冷启动时间和功率详细信息”的结果。
我想将Proximity Reporter应用程序刻录到OTP上,从主板上拔下子板,并在1.5 VDC应用到正确的引脚时让芯片进行冷启动。
到目前为止,我已经编译了reporter_fh项目并刻录了full_emb_sysram。变成闪光的海克斯。当母板的USB输入连接到一个5VDC源时,主板+子板引导工作非常好。我可以在嗅探器上看到BLE广告包。
我认为以下步骤是必须的:
1.编辑reporter_fh / da14580_config。Fh,并更改以下值:
a.将"#define DEVELOPMENT_DEBUG 1"替换为"#define DEVELOPMENT_DEBUG 0"
b.将"#undef APP_BOOT_FROM_OTP"替换为"#define APP_BOOT_FROM_OTP"
c.将"#undef READ_NVDS_STRUCT_FROM_OTP"替换为"#define READ_NVDS_STRUCT_FROM_OTP"
2.重新编译reporter_fh并生成一个新的full_emb_sysram.hex
3.使用OTP程序员在智能片段烧录full_emb_sysram。十六进制成OTP图像。Smart Snippets的默认设置设置OTP内存中的偏移量= 0000
4.在智能代码片段中使用OTP程序员烧录默认的OTP头,但在烧录之前做以下更改:
a.将应用程序标志1从“否”更改为“是”
b.将应用程序标志2从“否”更改为“是”
c.将0x47FF4 (Remapping Flag)从“SRAM at 0”改为“OTP at 0”
d.将0x47FFC (JTAG使能标志)从Enabled改为Disabled
我会保留其他默认值:
0x47F70 (package used) = WLCSP, 0x47F74 (32khz源选择)= XTAL32KHz, 0x47FD0 (Signature Algorithm) = None,
5.不要在NVDS上刻录任何东西。这是正确的吗?
然后,我假设OTP将包含reporter_fh应用程序,当我断开子板与主板的连接并将1.5 VDC源应用到正确的引脚时,芯片将冷启动,reporter_fh将执行就像它从flash启动时所做的那样。
这些都对吗?我错过了什么吗?
谢谢,
乔恩
嗨Hull39,
您将不得不修改子卡hw以在boost模式下操作。子板原理图指定了所需的更改。
嗨,米凯尔,
另外,根据您的建议(感谢您的建议),在第4步中,我首先阅读了OTP Header值,然后按照上面提到的修改它们,然后烧掉Header。
这保留了芯片上的一些修剪值,但智能片段不知道。
我还确保在烧掉头部之前先烧掉图片。
这给了我一个从3V源运行的子板。现在正在进行硬件修改,以在boost模式下运行它。
谢谢,
乔恩
嗨,乔恩,
这是个好消息。正如您所提到的,在编辑OTP设置之前读取它们会保留已经存储在那里的重要数据。
完成硬件模块的boost操作后,确保在主板上正确设置跳线。我花了很长时间才意识到我应该将J14移到引脚1和2;o)
如果你想运行boost模式配置的儿卡而不把它插到主板上,你应该提供它-不是通过VBAT;但通过VBAT1V(连接器上的BR7)
如何读和写在da14580内部eeprom ?
嗨hantig,
580上没有内部EEPROM, 580只有一个OTP,设备从OTP将内容镜像到系统ram。OTP只能使用智能片段工具和OTP燃烧器工具编写一次。
由于MT_dialog