你好，
我使用具有DA 14585芯片的自定义板。使用的闪存是W25x20CL。闪光灯由P频道逻辑增强模式电源场效应晶体管，HM2301BSR控制。DA 14585的引脚P0_6连接到晶体管的栅极，源极为VDD和漏极的供电销。
现在，默认情况下，上电时，栅极电压为0，漏极电压为3.4V，源电压为3.4V，VCC的电源电压也为3.4V。单击“智能代码段”工具箱中的“连接”，已成功配置SPI引脚。要求是从Flash引导，配置的SPI引脚如下：
CLK - P0_0，CS - P0_1，DI -P0_2，DO - P0_3。出于从Flash启动的目的，我已经相应地配置了辅助引导加载程序，并将其编程到OTP中。
现在，我面临的问题是，在连接成功的智能片段中，闪光灯的电源电压，以及漏极电压下降到2.72 V.
现在，在单击读取32KB选项卡后，数据已成功读取，但电压进一步下降到大约720 mV。请建议其原因。
这是否与JTAG_PRIGHIMMER.BIN有关，在开始时在开始时在开始时进行编程，最初在智能片段中执行？
提前致谢
Wisilica.
设备：
你好，
我还通过使用相同的MOSFET尝试了使用Pro开发板的相同。栅极连接到引脚P1_1，源至VCC并排出到J5中的引脚SPI_UP。在连接到智能片段之前，即可上电后，闪光灯完全供电至3.4V，在0V，漏极和源极3.4V。连接成功后，栅极处的电压增加到3.2V，降低漏极处的电压并将VCC供电至2.6V。在读取32KB之后，电压在闪光灯供应中进一步落入0V以及漏极。
请建议其原因。
谢谢
嗨Wisilica，
嗯，如果检查Flash_Programmer，您将看到，当下载FW时，所有引脚都处于所有GPIO的状态，在Periph_init（）函数中设置为input_pullup，之后所有引脚都处于高状态，然后该设备配置与使用外围设备相关的引脚的状态，最终这是触发所应用的MOSFET和降低电压的MOSFET。如果您希望避免使用Flash_Programmer并处理操作MOSFET的引脚。然后在修改Flash程序员后，您应该在C：\ DiaSemi \ SmartsnippetsStudio \ Toolbox \ Common_resources中复制和粘贴二进制文件并将其重命名为JTAG_Programmer_585.bin。
谢谢mt_dialog.
你好，
感谢您的回复。这个问题似乎已经解决了。我可以知道拉动GPIO的重要性吗？目前在Flash程序员代码中，我已经评论了提出所有GPIO的函数调用。希望它没有任何Impercussioons。
谢谢
Wisilica.
嗨Wisilica，
不，它不会有任何副作用，除非您在实际活跃低的引脚上连接别的东西，此指令的原因是在闪存编程过程中，电路板可能在一个单独的SPI总线中连接到SPI总线的额外SESNORS存储器由于低信号而激活的引脚，因此它会损坏闪光灯的燃烧，因此所有引脚都设置为高电平。
谢谢mt_dialog.
你好，
感谢你的及时回复。
Wisilica.