你好，
这可能是一个微不足道的问题：
我在内部使用MurataZy使用DA14580。要连接到SPI闪存，我必须根据AN-B-023在Bank 0上使用PINS 0.5,6（和CS）。
我可以使用与连接到其他外围设备的SPI总线相同的clk / di / do / do，这将在SRAM中的固件中进行访问，这将被访问？
由于启动过程应完全独立于稍后阶段的固件的操作，因此我猜这没有问题，只要我确保在启动期间禁用此SPI总线的所有其他组件的CS常规。
这可以实现吗？在引导过程中是否是定义状态的所有GPIO（应该需要为此）？
问候，
约翰内斯
设备：
嗨gme_johannes，
是的，正如您所说，您将能够在与主要闪存相同的SPI总线上使用额外的SPI传感器/存储器，但您必须小心并确保将其他设备的CS保持高而不会切换在引导序列期间，如果不是，如果没有，这可能会破坏SPI引导序列的下载时损坏图像。580的所有引脚默认为除了从零端口引脚的引脚外输入下拉，这将根据引导加载程序的状态切换，因此为了执行此操作，您可以使用外部上拉以保持CS高的附加设备，或刻录辅助引导加载程序并根据需要配置引脚。
谢谢mt_dialog.
谢谢您的回答。
添加外部上拉窗口需要大约12K以实现0.7 * VDD（考虑到从设备中的100K上拉）。
使用IC的SPI传输期间，这将导致10倍电流（330μA而不是33μA）。
也许不是一个问题，我没有在特定读出速率下计算活动SPI时间。
然而，也许可以通过设备的GPIO为设备为设备提供更好的选择，并仅在加载固件后打开它们。
对此的任何想法？
此致
约翰内斯
嗨gme_johannes，
我想你的意思是通过GPIO来为外部设备供电，因此当默认情况下，当启动加载程序正在执行时，它们会被撤消，因此它们不会在任何SPI命令中回复，并且只有当设备向上时才有激活的GPIO。我并不赞成那种练习，从GPIO供电，没有测试它，但只要传感器停留在约为4.8mA的GPIO的指示电流能力内，就会听起来可以。
谢谢mt_dialog.
感谢您的评论。
我知道4.8mA的限制并仅注意到，磁力计（BMM150）的峰值电流抽取20mA（尽管它可能停留在4.8mA以下，具有适当的去耦盖）。
然而，我会丢弃这个想法，这不是一个干净的解决方案。
似乎使用二级引导加载程序并将引脚配置为我的喜好是最优雅的解决方案，就像您之前所指出的那样。
此致，
约翰内斯