在对话的参考设计中，外部闪光芯片的去耦电容规范为0.1uf 16V 10％x7R 0402，可以改变为0.1uf 10v 10％x7r 0201或0.1uf 16v 10％x5r 0201？
我们现在使用的规范为0.1uf 6.3V 10％x5R 0201，然后电容器损坏。什么原因？
谢谢。
设备：
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嗨歌，
我将在内部与团队检查，我会尽快让您知道，这是外部闪光推荐的解耦电容。
谢谢，PM_DIALOG.
嗨歌，
我建议您使用1uf去耦电容而不是100nf。您可以使用0.1uf 10v 10％x7r 0201或0.1uf 16v 10％x5r 0201但我建议您将容量提高到1uf。解耦电容的容量在我们的设计中变为1UF。不确定为什么0.1uf 6.3V 10％X5R 0201损坏。
谢谢，PM_DIALOG.
我发现只保留在可穿戴设计示例中的VDDIO的去耦电容。在我的设计中，0.1UF电容被添加到外部闪光灯的VCC引脚。设计中V18和V18P的去耦电容均为16V，而我的设计使用10V。今天我发现我设备中V18的电容损坏。为什么16V？是否损坏了与外部闪光去耦电容有关的V18去耦电容？
嗨歌，
在V18中使用哪个电容器？可能你应该参考电容器的规格，所以不确定为什么会发生。
谢谢，PM_DIALOG.
C4在附件中。
嗨歌，
它是正确的 - 去耦陶瓷电容器（C4＆C5）为10μF（0603封装，16V），必须尽可能接近V18和V18P引脚。C4＆C5的建议的去耦电容为：CAP CER 16V 20％X5R-10μF - 0603
谢谢，PM_DIALOG.