你好，
我们正在考虑BLE应用程序的DA14680，但是，我们希望随之带来几个时间敏感的行动。对闪存管理的一些澄清得到了很大赞赏。
1）如果删除Flash，我们仍然可以执行蓝牙操作吗？数据表指出，当闪存正在删除时，芯片必须从RAM或缓存运行，但我理解从ROM读取蓝牙读取，并且在删除闪存时应禁用该中断。有没有办法解决这些限制？
2）闪光写/擦除时间和功耗有哪些统计数据？我找不到数据表中列出的。
3）如果流程尝试在被删除时访问闪存会发生什么？
4)数据表表明，控制QSPI与flash通信的FSM需要在上电时进行初始化。它也必须在睡眠后初始化吗?初始化需要多长时间?
谢谢
关键词：
设备：
嗨mthib，
1）如果闪光被擦除，你是什么意思？68x可以在闪存或镜像模式下（直接从Sysram）运行，当时设备在镜像模式下运行时，可用的内存量非常有限，这使得高速缓存模式是优先级的。如您所能理解闪存被删除并且没有应用程序代码，实现堆栈的ROM代码无法自行运行所有，因此您必须在Flash中有一个应用程序以便BLE运作。现在，如果你想知道，如果你能够擦除一部分闪光灯并仍然有BLE操作，那么NVMS适配器会照顾这一点，还有SDK中的选项用于闪光操作当设备没有挂起任务时执行，因此在睡眠之前，将执行Flash操作（这将确保在闪光灯运行时不会丢失BLE事件的大部分）。
2）对于680上的闪光灯，所使用的零件是功能范围的，电力等同于WCSP包的681的Pro套件上使用的W25Q80EW，因此您可以检查该闪存数据表的信息。
3)如上所述，SDK提供了适配器来访问flash，所以如果一个任务擦除flash，这个源被保护，没有其他任务可以访问flash，而另一个进程正在使用该资源。
4）是的，这也是在每次唤醒后执行的，但需要的时间是16MHz时钟的几个周期，而且您也不必担心，因为SDK正在关注所有上述操作。
以上所有关于flash的问题都要知道，这些类型的操作对用户是透明的，因为SDK和免费的RTOS OS提供了适当的结构和功能，以处理flash操作。您可以查看UM-B-044-DA1468x软件平台参考。pdf，以了解SDK如何在68x SoC上运行。
由于MT_dialog
1）我正在谈论如何通过发送擦除命令擦除闪光灯，例如擦除4 kB扇区，直到擦除完成之前，整个闪存将无法访问。这通常构成45 ms到400毫秒的最大时间，在其中我们必须停止或依靠从RAM操作。有些芯片具有内存控制器，只能阻止擦除期间对闪存的特定块的访问，但我想验证我们唯一的选项是否在该擦除时间内从RAM中的缓冲区数据。我明白，SDK可用于减少需要在擦除时发生闪存的动作的可能性，但我们需要100％保证它不是这种情况。
2-5）感谢您的帮助，这些问题完全回答了我的问题。非常感谢您的快速回复！
嗨mthib，
这是正确的，你擦除闪光灯的事实将使闪光灯成为68x的闪光灯，但由于闪光灯在自动模式下运行，就在擦除的情况下，如果您想从闪存中读取（获取代码或获取代码或数据）设备将暂停擦除操作并执行读取，然后设备将继续使用擦除操作（此开关在两种情况下自动完成，闪光灯在手动或自动模式下操作，但在第二种情况下，这是通过QSPI控制器和从SDK的第一种情况下完成，在任何情况下，这对最终用户来说是透明的。此外，如上所述，SDK配备了一个机制，它一旦设备保持空闲，就会立即在闪存中执行所有操作，这是必须100％安全的Flash操作不会影响和引起任何延迟设备的功能。
由于MT_dialog
挂起擦除来读取数据的限制是什么?例如，设备是否可以挂起页擦除来读取数据，或者它必须等待页擦除完成后才能读取数据?在擦除页的中间挂起来对flash来说是相当令人印象深刻的。如果要擦除超过一个页面，我会怀疑它可以在擦除页面之间挂起，否则必须等待。如果情况不是这样，我很想知道。
再次感谢，
母亲
嗨mthib，
是的，如上所述，在擦除的情况下，设备会暂停擦除以便从闪存读取数据，读取完成后，它将继续擦除闪存，现在，如果在擦除过程中发生读操作，设备将发送挂起命令，擦除将被挂起(flash挂起和恢复擦除的时间在每个flash设备之间是不同的)，一旦擦除被挂起，设备将开始执行读命令，一旦读命令结束，它将恢复擦除命令。这个特性也是flash应该支持的。数据表12.1.6 Erase Suspend/Resume解释了整个功能
由于MT_dialog