你好我们在升压模式下在子板中遵循相同的应用程序（Proximity Reporter_FH），如应用中的应用笔记ANB-011 -Cold启动时序。在应用程序注意中，据解释，冷启动序列所需的总电荷为54.7 UC，所需的时间是146毫秒。但是在功率分析工具中测量时，总电荷约为162 UC为140秒！为什么收费更多？正在升压模式下运行消耗更多的充电？
亲爱的HRG，你的意思是140ms或140秒？
虽然峰值电流总体上高于1.5V升压，但平均能量应该相当相似。如果你能确认你指的是140mS，我会考虑的。人们总是可以期待一些mS引导时间的细微变化。
BR JE_DIALOG.
嗨JE_Dialog
对不起，它是140毫秒！但升压模式中消耗的电荷比在该应用笔记中提到的3倍！
等待你的回复。
谢谢
Hello HRG，没有什么明显的，斯普林斯想：你可以确认你的HW和SW设置并验证对女子卡进行升压模式的修改吗？
嗨JE_DialogHW设置根据用户手册 - J13连接为3-4，用于测量电路的电源。跳线J14为1-2，用于增压配置。软件是Proximity Reporter_FH，没有修改！对于升压模式HW设置 - 根据示意图。电源电压为1.5伏。
嗨hrq,
可以肯定的是，你没有提到J23:这一个应该被删除为1.5V电源。虽然我不认为这最终是你测量高消耗电荷的原因。
升压模式不应比降压模式消耗更多的电量。只有在升压模式下，在冷启动期间，ddc -转换器不得不充电电容器，这导致一个高的初始峰值电流，但这应该不会贡献超过几个µC。
在您的广告活动中，RX / TX峰值电流约为10mA？如果是，它表示升压模式板的正常运行。
最好的问候,BB_Dialog。
你好bb_dialog.
1）供您参考，J23是开放的。如你所述，广告峰值约为10ma。proximtiy_reporter_fh在3分钟后进入深度睡眠模式，所以当中断被给予时，它会用冷启动唤醒，对吗?但是中断后的冷启动似乎非常高（如前所述（162 UC - 150 UC）与冷靴（125UC）相比！同时也有差异！
由于在对话框中没有附加文件的选项，为了供您参考，我在dropbox中附加了共享的文件链接。
在上电https://www.dropbox.com/s/b1rrk73p3d690jg/poweron.png?dl=0
在中断期间
https://www.dropbox.com/s/ob83u162r05ss8j/interrupt.png?dl=0
2)我还有一个问题，所以我添加与这些。proximity_reporter_fh程序被修改，以便它执行一个广告事件并进入深度睡眠，在中断(按按钮)时，它执行一个广告事件并再次进入睡眠。因此，在调试模式下测试时，中断期间的电源都是完美的。编程被烧毁到OTP。但现在在PowerOn期间，第一个广告已经完成，需要约75毫秒即可进入睡眠模式。但是在中断唤醒期间不会发生这种情况。我在这里分享了快照，可以找到它们之间的差异。（注意：它也遭受了与1）问题中提到的同样的问题）。
在集成软件包
https://www.dropbox.com/s/2b9aj3eg2ayne29/power%20on.png?dl=0.
在中断:https://www.dropbox.com/s/3h0cuxkga4w79jy/interrupt.png?dl=0
3）还有一个疑问。无论何时在一个广告活动后按下交换机K1，也有一个未知的峰值。（注意：此峰值您可以在正常的Proximity_reporter_FH程序中敏锐地观察K1！）以下是这些的快照
https://www.dropbox.com/s/8qt913jtlm9bn42/switch.png?dl=0.
https://www.dropbox.com/s/4ycd4nrl6l85ug4/unknown%20peak.png?dl=0.
谢谢hrg
感谢详细的快照。我们将介绍一下这些。
更新14H30：
我可以确认正常的冷启动时间和消耗的费用:
降压模式：124毫秒 - 67μC。升压模式：124毫秒 - 128μc。
在升压模式@ 1.5V时消耗的电荷更高，可以解释为更高的电流:大约是buck模式@ 3V时的两倍高。从电池消耗的能量(J)将是相同的(3 x 67 = 1.5 x 128)。
我还在努力重现你的中断情况。
最好的问候，bb_dialog
我和一些同事讨论了第二种情况(中断)，
正常情况下，当从睡眠中醒来时，不需要冷启动。我们预计到第一次广告时约10毫秒，耗电量约10µC (buck)或20µC (boost)。这包括额外的时间和费用的初始化等。我们在屏幕截图中看不到rf校准。在真正的冷启动中，RF-cal确实被执行了:在PowerOn图片中，仅在22100秒之后。(在正常的广告中，第一次广告的时间约为7.5毫秒，并消耗3.5或7µC的电荷)。
以下几个问题可以进一步帮助你:您的DA14580是DA14580-01 (ES5)吗?您使用的是哪个SDK版本?你修改接近码了吗?您使用哪个键/哪个GPIO唤醒BLE芯片？我们使用了主板上的一个钥匙。
嗨bb_dialog谢谢你的回复
是DA14580_CB_PXI_WLCSP 078-05-C ES5。SDK版本3.0.4.0。我们在主板上使用K1(默认在proximity_reporter_fh中)。冷启动似乎发生了，甚至在正常的接近应用(即3分钟后，它将进入睡眠，然后按下按钮，它醒来与一些射频校准。)(你在另一篇文章中提到，当使用深度睡眠模式时，SRAM将在睡眠期间打开!)
请尽快回复2）和3）问题。
第2项）我试图重现您的上电和中断的观察：
上电：我看到电源时刻2秒的总活动。众所周知：允许32kHz XTAL振荡器在进入睡眠模式之前变得稳定。对我来说，它看起来你的电路板在32khz xtal上没有运行，而是在rcx时钟上运行。这是correct吗？使用RCX时间更短。如果没有，必须在其他地方找到原因。但是请注意，在boost模式下使用RCX是不被验证和不被允许的。它不能使用，因为不稳定的内部电压是用于RCX振荡器。在boost模式下，必须使用32KHz Xtal振荡器用于睡眠时钟。
中断：在这种情况下，我们还看到了像你这样做的较短活动时间。
请确认您的电路板是否正在XTAL32K或RCX上运行。
最好的问候，bb_dialog。
抱歉，我们没有看到您的屏幕截图中的峰值:
我们尝试了32KHz Xtal振荡器的boost模式，以及启用RCX的buck模式。两种模式都没有额外的峰值。
取决于你对第2项的回答:这可能与在boost模式下使用rcx振荡器有关。请告诉我们。
嗨bb_dialog.
2)使用32KHz的XTAL，但稳定时间被减少到最少的测试目的(默认为3200对应2秒在rwip.c文件)，所以在电源上的总时间是126毫秒，直到第一次广告，它应该去睡觉，但是在入睡之前仍然需要大约77毫秒，所以额外的时间可能是由于xtal ??
请确认1)关于从深度睡眠中唤醒时的冷启动，我们使用默认的proximity_reporter_fh在OTP中没有修改，从深度睡眠中唤醒后，我们将获得射频校准。谢谢
对话团队请尽快回复!
2）是的，可能是由所需的32K晶体开始时间引起的额外时间。
1)在RF-cal事件在你的照片。我们看到在电动时在冷启动期间执行此RF-CAL，但不会在深度睡眠时执行。如前所述，我们不期望这里冷却。只有在芯片的温度会发生5摄氏度或更多时，才会执行RF-CAL。
更新:给你的请求。你可以在你的设备中加载相同的项目，但不是使用深睡眠，使用扩展睡眠模式？没有必要在OTP中刻录它，只是使用连接管理器或智能片段在系统ram中加载它。我们想知道的是:当按下中断按钮时，你是否也看到RF-cal ?这对我们有所帮助。
嗨对话小组
在SRam的调试模式中，从深度睡眠(甚至在延长睡眠)中醒来时没有RF-cal。在编程OTP之后，从深度睡眠中唤醒的冷启动中有RF-cal。因此，当在SRAM模式下按下中断时，我们无法找到RF-cal !在编程OTP后，请咨询此问题。
在OTP中具有程序，我们确实期待有冷启动时的RF-CAL。但是，除非温度变化（> = 5°C），否则预计不会看到这一点。
亲爱的HRG，你的意思是140ms或140秒？
虽然峰值电流总体上高于1.5V升压，但平均能量应该相当相似。如果你能确认你指的是140mS，我会考虑的。人们总是可以期待一些mS引导时间的细微变化。
BR JE_DIALOG.
嗨JE_Dialog
对不起，它是140毫秒！但升压模式中消耗的电荷比在该应用笔记中提到的3倍！
等待你的回复。
谢谢
Hello HRG，没有什么明显的，斯普林斯想：你可以确认你的HW和SW设置并验证对女子卡进行升压模式的修改吗？
BR JE_DIALOG.
嗨JE_Dialog
HW设置根据用户手册 - J13连接为3-4，用于测量电路的电源。跳线J14为1-2，用于增压配置。软件是Proximity Reporter_FH，没有修改！对于升压模式HW设置 - 根据示意图。电源电压为1.5伏。
嗨hrq,
可以肯定的是，你没有提到J23:这一个应该被删除为1.5V电源。
虽然我不认为这最终是你测量高消耗电荷的原因。
升压模式不应比降压模式消耗更多的电量。
只有在升压模式下，在冷启动期间，ddc -转换器不得不充电电容器，这导致一个高的初始峰值电流，但这应该不会贡献超过几个µC。
在您的广告活动中，RX / TX峰值电流约为10mA？
如果是，它表示升压模式板的正常运行。
最好的问候,BB_Dialog。
你好
bb_dialog.
1）
供您参考，J23是开放的。如你所述，广告峰值约为10ma。
proximtiy_reporter_fh在3分钟后进入深度睡眠模式，所以当中断被给予时，它会用冷启动唤醒，对吗?
但是中断后的冷启动似乎非常高（如前所述（162 UC - 150 UC）与冷靴（125UC）相比！
同时也有差异！
由于在对话框中没有附加文件的选项，为了供您参考，我在dropbox中附加了共享的文件链接。
在上电
https://www.dropbox.com/s/b1rrk73p3d690jg/poweron.png?dl=0
在中断期间
https://www.dropbox.com/s/ob83u162r05ss8j/interrupt.png?dl=0
2)我还有一个问题，所以我添加与这些。
proximity_reporter_fh程序被修改，以便它执行一个广告事件并进入深度睡眠，在中断(按按钮)时，它执行一个广告事件并再次进入睡眠。
因此，在调试模式下测试时，中断期间的电源都是完美的。编程被烧毁到OTP。但现在在PowerOn期间，第一个广告已经完成，需要约75毫秒即可进入睡眠模式。但是在中断唤醒期间不会发生这种情况。我在这里分享了快照，可以找到它们之间的差异。（注意：它也遭受了与1）问题中提到的同样的问题）。
在集成软件包
https://www.dropbox.com/s/2b9aj3eg2ayne29/power%20on.png?dl=0.
在中断:
https://www.dropbox.com/s/3h0cuxkga4w79jy/interrupt.png?dl=0
3）
还有一个疑问。无论何时在一个广告活动后按下交换机K1，也有一个未知的峰值。（注意：此峰值您可以在正常的Proximity_reporter_FH程序中敏锐地观察K1！）以下是这些的快照
https://www.dropbox.com/s/8qt913jtlm9bn42/switch.png?dl=0.
https://www.dropbox.com/s/4ycd4nrl6l85ug4/unknown%20peak.png?dl=0.
谢谢
hrg
嗨hrq,
感谢详细的快照。
我们将介绍一下这些。
最好的问候,BB_Dialog。
更新14H30：
我可以确认正常的冷启动时间和消耗的费用:
降压模式：124毫秒 - 67μC。
升压模式：124毫秒 - 128μc。
在升压模式@ 1.5V时消耗的电荷更高，可以解释为更高的电流:大约是buck模式@ 3V时的两倍高。
从电池消耗的能量(J)将是相同的(3 x 67 = 1.5 x 128)。
我还在努力重现你的中断情况。
最好的问候，bb_dialog
嗨hrq,
我和一些同事讨论了第二种情况(中断)，
正常情况下，当从睡眠中醒来时，不需要冷启动。
我们预计到第一次广告时约10毫秒，耗电量约10µC (buck)或20µC (boost)。
这包括额外的时间和费用的初始化等。我们在屏幕截图中看不到rf校准。
在真正的冷启动中，RF-cal确实被执行了:在PowerOn图片中，仅在22100秒之后。
(在正常的广告中，第一次广告的时间约为7.5毫秒，并消耗3.5或7µC的电荷)。
以下几个问题可以进一步帮助你:
您的DA14580是DA14580-01 (ES5)吗?
您使用的是哪个SDK版本?你修改接近码了吗?
您使用哪个键/哪个GPIO唤醒BLE芯片？
我们使用了主板上的一个钥匙。
最好的问候，bb_dialog
嗨bb_dialog谢谢你的回复
是DA14580_CB_PXI_WLCSP 078-05-C ES5。
SDK版本3.0.4.0。
我们在主板上使用K1(默认在proximity_reporter_fh中)。
冷启动似乎发生了，甚至在正常的接近应用(即3分钟后，它将进入睡眠，然后按下按钮，它醒来与一些射频校准。)
(你在另一篇文章中提到，当使用深度睡眠模式时，SRAM将在睡眠期间打开!)
请尽快回复2）和3）问题。
嗨hrq,
第2项）我试图重现您的上电和中断的观察：
上电：我看到电源时刻2秒的总活动。众所周知：允许32kHz XTAL振荡器在进入睡眠模式之前变得稳定。
对我来说，它看起来你的电路板在32khz xtal上没有运行，而是在rcx时钟上运行。这是correct吗？使用RCX时间更短。
如果没有，必须在其他地方找到原因。
但是请注意，在boost模式下使用RCX是不被验证和不被允许的。它不能使用，因为不稳定的内部电压是用于RCX振荡器。
在boost模式下，必须使用32KHz Xtal振荡器用于睡眠时钟。
中断：在这种情况下，我们还看到了像你这样做的较短活动时间。
请确认您的电路板是否正在XTAL32K或RCX上运行。
最好的问候，bb_dialog。
嗨hrq,
抱歉，我们没有看到您的屏幕截图中的峰值:
我们尝试了32KHz Xtal振荡器的boost模式，以及启用RCX的buck模式。
两种模式都没有额外的峰值。
取决于你对第2项的回答:这可能与在boost模式下使用rcx振荡器有关。
请告诉我们。
最好的问候,BB_Dialog。
嗨bb_dialog.
2)使用32KHz的XTAL，但稳定时间被减少到最少的测试目的(默认为3200对应2秒在rwip.c文件)，所以在电源上的总时间是126毫秒，直到第一次广告，它应该去睡觉，但是在入睡之前仍然需要大约77毫秒，所以额外的时间可能是由于xtal ??
请确认1)关于从深度睡眠中唤醒时的冷启动，我们使用默认的proximity_reporter_fh在OTP中没有修改，从深度睡眠中唤醒后，我们将获得射频校准。
谢谢
对话团队请尽快回复!
嗨hrq,
2）是的，可能是由所需的32K晶体开始时间引起的额外时间。
1)在RF-cal事件在你的照片。
我们看到在电动时在冷启动期间执行此RF-CAL，但不会在深度睡眠时执行。
如前所述，我们不期望这里冷却。
只有在芯片的温度会发生5摄氏度或更多时，才会执行RF-CAL。
最好的问候,BB_Dialog。
更新:给你的请求。
你可以在你的设备中加载相同的项目，但不是使用深睡眠，使用扩展睡眠模式？
没有必要在OTP中刻录它，只是使用连接管理器或智能片段在系统ram中加载它。
我们想知道的是:当按下中断按钮时，你是否也看到RF-cal ?
这对我们有所帮助。
嗨对话小组
在SRam的调试模式中，从深度睡眠(甚至在延长睡眠)中醒来时没有RF-cal。在编程OTP之后，从深度睡眠中唤醒的冷启动中有RF-cal。因此，当在SRAM模式下按下中断时，我们无法找到RF-cal !
在编程OTP后，请咨询此问题。
嗨hrq,
在OTP中具有程序，我们确实期待有冷启动时的RF-CAL。
但是，除非温度变化（> = 5°C），否则预计不会看到这一点。
最好的问候,BB_Dialog。