对于电池驱动的应用程序，我正在考虑使用DA14580。该计划是在4年的时间里，每天只打开一次(从全功率关闭)。为了尽可能延长电池的使用寿命，我希望将芯片的工作电压控制在2.5V以下。数据表明确指出，由于OTP损坏，冷启动在2.5V以下是不可能的。它进一步说，不建议在2.35V以下运行。这就提出了几个问题:
1.DA14580可以从2.5V以下的外部存储器启动吗?
2.我知道BLE堆栈包含在ROM中。ROM在低于2.5V, 2.35V时可以可靠地运行吗?
3.当操作低于2.35V时，芯片的性能是否会以任何方式受到影响?
4.在低压降压模式下工作时，电流是否增加?如果我假设幂不变，我计算了下面的曲线。这准确吗?
马Vbatt
5.10 - 3.0
5.16 - 2.9
5.36 - 2.8
5.56 - 2.7
5.79 - 2.6
6.02 - 2.5
6.28 - 2.4
6.56 - 2.3
6.87 - 2.2
7.21 - 2.1
7.57 - 2.0
谢谢你所能提供的任何启示。
嗨Markhillig,
在冷启动期间，某些修整和校准值从OTP中读取并保存在寄存器中。在生产过程中(当电压足够高时)读取这些寄存器值并将它们存储在外部存储器中是可行的。当您在字段中启动时，您将从外部存储器中读取这些设置并将它们保存在适当的寄存器中。该问题只涉及OTP，所以其他块不受影响。同样，这种方法很麻烦，但却是可行的。
你可能会考虑使用升压模式而不是降压模式。氧化银电池(纽扣电池)比一般的锂电池性能更好。氧化银电池也有更大的能量密度(每体积兆瓦时)，它们几乎一直保持标称电压。在升压模式下，您不必担心OTP电压。
我不知道你是如何计算这些消费数字的。首先，你的数字似乎捕捉到了峰值电流，而这些并不是平均功耗的良好指标。其次，3.0V的peek电流略低于5mA(其中包括buck调节器、微控制器和打开的接收机的所有损失)。但请记住，BLE芯片大部分时间都处于睡眠状态——在你的情况下，这将是深度睡眠，大约是550nA @ 3V, 1.2uA @ 1.5V。在这些当前级别，计时器正在运行，并将允许每天唤醒。
谢谢你的回复。
我们正在使用一种专有的电池化学，目前正在定义电池的性能特征需要是什么。我列出峰值电流的原因是我们试图平衡瞬时电池电源容量与整体能量密度。当混合不同的电池化学物质时，它们是平衡的。对于我们的应用来说，Boost模式需要太多的瞬时源容量(>10mA)，而且我们在电子设备中没有空间存储电荷。我们非常了解当前消费的“平均”计算。在降压模式下，根据数据表，峰值电流在3.0V时约为5.1mA (RX)。
你好,
这里有一些当前的消费数据:DA14580-01在buck模式@ 2.0V;2.4 v;2.8 v。
天线端接50欧姆负载。
Vbat3V = 2.0V: Tx pk = 6.35 mA;Rx pk = 7.2 mA;Iavg = 0.96 mA
Vbat3V = 2.4V: Tx pk = 5.25 mA;Rx pk = 6.0 mA;Iavg = 0.85 mA
Vbat3V = 2.8V: Tx pk = 4.75 mA;Rx pk = 5.3 mA;Iavg = 0.74 mA
最好的问候，BB_Dialog。
谢谢你提供的信息!这就回答了问题4。你对问题1-3有什么想法吗?
嗨markhilliq,
我认为mhvid_dialog在他的回复中提供了大部分答案。
一般情况下，低于2.35V, OTP不能再读取。
因此，如果您的应用程序不使用OTP(但从flash启动)，DA14580可以在2.35V以下的buck模式下使用。
最好的问候，BB_Dialog
如果您使用外部存储器，可以选择在生产测试中将电压设置为3V，读取XTAL修剪值并将其存储在FLASH中。
BR JE_Dialog