DA14585驱动器HFET1

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罗伊哈
离线
最后一次露面:10个月1日前
加入:2018-11-19 16:32
DA14585驱动器HFET1

亲爱的对话团队,

我正在研究的项目使用需要BLE5.0的电动水阀

请告知如果DA14585可以驱动/控制HFET1(如果没有,请告知其他对话的解决方案)

而且,我有可能找到最好的HFET1 P \ n适合我的应用程序(附加阀门数据表)

如果您有折音设计/ scehmtic,那将是完美的

谢谢

ro

附件:
设备:
设备编号:
HFET1
Petro.
离线
最后一次露面:7个月2周前
职员
加入:2018-10-02 07:43
你好roie,

你好roie,

您是否可以澄清VBAT3V和VBAT1V的预期电压是什么,因为基于这些级别DA14585提供了不同的MIN逻辑高级别?关于阀门控制,因此,一般而言,我们的HFETS专用于控制高侧负载,因此如果您计划刚刚制作GND,我们的HFET不适合您的应用程序。此外,由于您计划控制归纳负载,所以我建议您阅读我们的ANS//www.xmece.com/an-1207https://www.dialog-semicondionder.com/an-1160。如果您有任何其他问题,请告诉我。

罗伊哈
离线
最后一次露面:10个月1日前
加入:2018-11-19 16:32
你好,

你好,

预期电压VBAT为DA14585为3V,

您是否有任何使用DA14585来控制螺线管的借出设计/示意图?

谢谢,

ro

Petro.
离线
最后一次露面:7个月2周前
职员
加入:2018-10-02 07:43
嗨roie。da14585有两个vbat

嗨roie。DA14585有两个VBAT引脚:VBAT1V(E1)和VBAT3V(F4),所以取决于电压电平IO逻辑高度不同。例如,如果vbat3v = 2.35V和vbat1v = 0.9V,所以最小逻辑高电平为0.72V,不足以控制HFET1左右。如果vbat3v = 1.8V和vbat1v = 0v,所以Min逻辑高电平为1.44V,足以控制HFET1。对于阀门控制,您可以使用简单的N通道MOSFET与连接源引脚到GND,将线圈排放到线圈和闸门中的DA14585的IO引脚之一。所有您需要检查的是MOSFET的VGS阈值,以确保DA​​14585的逻辑电平足以打开它。

je_dialog
离线
最后一次露面:3天8小时前
职员
加入:2013-12-05 14:02
嗨roie,我们没有任何东西

嗨Roie,我们没有任何螺线管接口示例。我们很乐意查看您提供的任何Scheamtic。谢谢约翰

罗伊哈
离线
最后一次露面:10个月1日前
加入:2018-11-19 16:32
你好,

你好,

我可以使用vbat3v = 1.8v和vbat1v = 0v或vbat3v = 3.3v和vbat1v = 0v两者都应该好转到驱动hfet1?

所以,对于阀门控制,您可以为此应用程序提出特定的p \ n吗?

谢谢,

ro

Petro.
离线
最后一次露面:7个月2周前
职员
加入:2018-10-02 07:43
嗨roie。两个电压应该

嗨roie。两个电压都应该很好。vbat3v = 3.3v和vbat1v = 0v是优选的。如果您想使用HFET1,所以我建议SLG59H1313,但您应该在高端(来自螺线管的一个引脚直接在GND和1313的控制电压上到电磁阀的另一个引脚)。但是,您也可以使用任何供应商(例如NDS331N)使用的N沟道MOSFET,因为我在以前的回复中列出。