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Jonathan Forrest.
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最后一次露面:4年11个月前
加入:2014-12-18 04:29
为vbat3v提供电源IC

你好,

我正在升压模式下运行DA14580,因为我在1.2-2V范围内耗尽电池。
但是,我也使用外部EEPROM来存储.hex文件。

目前我有一个单独的DC-DC Boost转换器来为EEPROM供电,然后在DA14580引导后必须关闭。

是否可以直接从VBAT3V运行EEPROM。2.7V足以实现EEPROM,但它可以提供所需的2MA左右?

注意:DA14580已启动后,它将使用FET关闭到EEPROM的电源,以保持完整的系统电流尽可能低。

je_dialog.
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最后一次露面:35分53秒前
职员
加入:2013-12-05 14:02
你好乔纳森,会检查

你好乔纳森,会检查你:不应该是一个问题 - 特定规范被埋葬在数据表的某个地方,我刚刚要求HW团队指出我,以便我可以验证。

BR JE_DIALOG.

Jonathan Forrest.
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最后一次露面:4年11个月前
加入:2014-12-18 04:29
谢谢JE_DIALOG。

谢谢JE_DIALOG。
我猜这不是一个问题,但我以为我应该检查。我无法在数据表中的DC-DC转换器的VBAT3V输出中找到太多。表289中的信息似乎是指VDCDC输出。
实际上,我知道VBAT3V输出默认为2.7V的原因来自这些论坛(请参阅:http://support.dialog-semicondiondiond.com/voltage-leakage-gpio-pins-eeprom ...)。
这一事实(以及可以设置VBAT3V输出电压的寄存器的细节)似乎不存在于数据表中。

tn_dialog.
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最后一次露面:1周4天前
职员
加入:2013-12-05 15:49
乔纳森,

乔纳森,

这是可能的,但您必须确保总功率非常低。如果您在RF活动的同时具有EEPROM活动,您可能会看到DCDC无法为系统供电的问题。

问候

tn_dialog.

je_dialog.
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最后一次露面:35分53秒前
职员
加入:2013-12-05 14:02
你好乔纳森,我们没有

你好乔纳森,我们没有在升压模式下指定/保证这个值,但只要你没有射频活动,我们就会对eEerpom相等是很好的(如tn_dialog所指出的)。

道歉我不能更具体。

BR JE_DIALOG.