你好,
我运行DA14580促进模式,我运行了一个电池在1.2 - 2 v。然而,我也使用一个外部eepm存储.hex文件。
目前我有一个独立的直流-直流转换器提高到权力eepm然后DA14580启动后必须关闭。
可以直接运行eepm VBAT3V。2.7 v eepm是充分的,但它能提供所需的马2左右?
注意:DA14580启动后将关闭电源eepm采用场效应晶体管使整个系统电流尽可能低。
你好乔纳森,会为你检查:不应该是一个问题——格兰规范被埋在数据表的某个地方,我刚问HW团队朝它告诉我,这样我可以验证。
BR JE_Dialog
谢谢JE_Dialog。我猜这不会是一个问题,但我想我应该检查。我找不到很多关于VBAT3V直流-直流变换器的输出数据表。信息表289年似乎指的是VDCDC输出。事实上我知道的唯一原因VBAT3V输出默认为2.7 v从这些论坛(见:http://support.dialog-semiconductor.com/voltage-leakage-gpio-pins-eeprom..。)。这一事实(和注册的详细信息,可以设置VBAT3V输出电压)似乎没有从数据表。
乔纳森,
这种可能性是存在的,但你必须确保总功率是树立非常低。如果你有eepm活动的同时,射频活动你可能会看到问题DCDC无法电力系统。
问候
TN_Dialog
你好乔纳森,我们不指定/保证提高这个值的模式,但是我们相信一些马应该罚款EERPOM只要你没有射频活动(TN_Dialog所指出的)。
道歉我不能更具体。
你好乔纳森,会为你检查:不应该是一个问题——格兰规范被埋在数据表的某个地方,我刚问HW团队朝它告诉我,这样我可以验证。
BR JE_Dialog
谢谢JE_Dialog。
我猜这不会是一个问题,但我想我应该检查。我找不到很多关于VBAT3V直流-直流变换器的输出数据表。信息表289年似乎指的是VDCDC输出。
事实上我知道的唯一原因VBAT3V输出默认为2.7 v从这些论坛(见:http://support.dialog-semiconductor.com/voltage-leakage-gpio-pins-eeprom..。)。
这一事实(和注册的详细信息,可以设置VBAT3V输出电压)似乎没有从数据表。
乔纳森,
这种可能性是存在的,但你必须确保总功率是树立非常低。如果你有eepm活动的同时,射频活动你可能会看到问题DCDC无法电力系统。
问候
TN_Dialog
你好乔纳森,我们不指定/保证提高这个值的模式,但是我们相信一些马应该罚款EERPOM只要你没有射频活动(TN_Dialog所指出的)。
道歉我不能更具体。
BR JE_Dialog