使用I2C时的NVM寿命预期

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peterpotnin
离线
最后看到:2年8个月前
加入:2018-10-29 21:18
使用I2C时的NVM寿命预期

你好,
我正在设计本质上是一个基于SLG46533的I2C-to-PWM输出驱动程序。

对于PWM,我使用的是2018年9月GreenPAK烹饪书中描述的DFF+延时电路,第38页:“技术:设置恒定占空比”。为了控制PWM占空比,我使用了应用笔记an -1144“I2C IO控制器8位总线”的想法。通过发送命令修改相应的寄存器,通过I2C更新CNT/DLY模块的计数器数据;例如,SLG46533中的CNT2/DLY2为reg<1543:1536>。这个解决方案在模拟中工作得很好,但是…

我的问题是:每次我修改计数器数据-我重写NVM?我能做几次有限制吗?有没有更优雅的方式来控制多达3 PWM输出的占空比通过I2C?

我也将我的设计附加到这条信息上

谢谢!

附件:
设备:
设备数量:
SLG46533
pavloZ
离线
最后看到:1年4个月前
工作人员
加入:2018-01-31中午12
你好,Peterpotnin,你也可以

你好,彼得波特宁,你也可以看到https://www.dialog _pwm_c..——semiconductor.com/sites/default/files/an - cm - 248。PWM的实现。所有计数器数据的变化都在电相关的内存中,所以在芯片重置后,所有的寄存器都从NVM再次复制。像RAM这样的寄存器有大量的写入周期。

peterpotnin
离线
最后看到:2年8个月前
加入:2018-10-29 21:18
谢谢你们

谢谢你们的响应和知识!除了PavloZ的回答,以下是我从Dialog的Alex Richardson的邮件中得到的答案(这解决了我的困境):

简短的回答是,当您重写计数器数据时,您并没有重写NVM,并且对于可以完成的次数没有明显的限制。

我们所有的设备都有两层编程;NVM层和寄存器层。在NVM中的数据在POR序列中加载寄存器。我们兼容I2C的OTP设备可以重写它们的寄存器,但在电源循环时,它们会重新加载来自NVM的原始数据。SLG46533是一个OTP设备,所以根据您当前的设计,这将是预期的行为。

我们的MTP设备,SLG46826和SLG46824,除了它们的寄存器之外,还可以重写它们的NVM,但是它们的耐受性限制是1000个NVM写周期