你好,
这可能是一个微不足道的问题:
我在内部使用DA14580的Murata ZY。为了连接到SPI flash，我必须使用针0,5,6(和3为CS)银行0根据an - b -023。
我可以为连接到其他外设的SPI总线使用相同的CLK/DI/DO吗?一旦固件在SRAM中，将访问这些外设。
因为引导过程应该完全独立于固件的操作在后期，我想这没有问题，只要我确保这个SPI总线上的所有其他组件的CS在引导例程中保持禁用。
这能实现吗?在引导过程中，是否所有的gpio都处于已定义的状态(应该为此而被拉起)?
问候,
约翰内斯
设备:
嗨gme_johannes,
是的正如你所说,你将能够使用额外的SPI传感器/记忆在同一SPI总线作为主要的闪存,但你要小心,确保你保持高的CS其他设备,而不是切换在引导序列,因为如果不是这样,当下载SPI引导序列时，这可能会破坏映像。所有的针580默认输入下拉除了零销的港口将切换根据引导装载程序的状态,为了做到这一点,你可以使用一个外部打开的CS高为了保持额外的设备,或者燃烧二级引导装载程序和配置针。
由于MT_dialog
谢谢你的回答。
增加外部引体向上将需要大约12k来实现0.7*VDD(考虑到从设备的100k引体向上)。
这将导致10倍的电流(330µA而不是33µA)在SPI传输与IC。
也许这不是问题，我没有在特定的读出速率下计算活动SPI时间。
然而，也许通过设备的GPIO来启动从机是更好的选择，并且只有在固件加载后才打开它们。
有什么想法吗?
致以最亲切的问候
约翰内斯
嗨gme_johannes,
我认为您的意思是通过gpios来启动外部设备，因此当引导加载程序执行时，它们将被下拉，因此它们不会响应任何SPI命令，并且只有在设备启动时才会激活那些gpios。我不赞成这种做法，从gpio为设备供电，还没有测试它，但只要传感器保持在gpios指明的源电流能力(约4.8mA)内，听起来就没问题。
由于MT_dialog
谢谢你的评论。
我意识到4.8mA的极限，并注意到只是最近，磁强计(BMM150)有一个峰值电流20mA(尽管它可能保持在4.8mA以下适当的去耦帽)。
尽管如此，我还是会放弃这个想法，因为它不是一个干净的解决方案。
就像您之前指出的那样，使用辅助引导加载程序和配置引脚似乎是最优雅的解决方案。
最好的问候,
约翰内斯