你好,
这可能是一个微不足道的问题:
我正在使用内部带有DA14580的Murata ZY。为了连接到一个SPI闪光，我必须使用引脚0,5,6(和3为CS)银行0根据an - b -023。
我可以使用相同的CLK/DI/DO为SPI总线连接到其他外设，将访问一旦固件在SRAM?
由于引导过程应该完全独立于固件的操作在后期阶段，我想这是没有问题的，只要我确保这个SPI总线上所有其他组件的CS在引导程序期间保持禁用。
这能实现吗?在引导过程中，是否所有gpio都处于已定义的状态(为此需要启动)?
问候,
约翰内斯
设备:
嗨gme_johannes,
是的正如你所说,你将能够使用额外的SPI传感器/记忆在同一SPI总线作为主要的闪存,但你要小心,确保你保持高的CS其他设备,而不是切换在引导序列,因为如果不是这样,这可能会在下载SPI引导序列时损坏映像。所有的针580默认输入下拉除了零销的港口将切换根据引导装载程序的状态,为了做到这一点,你可以使用一个外部打开的CS高为了保持额外的设备,或者燃烧二级引导装载程序和配置针。
由于MT_dialog
谢谢你的回答。
增加外部引体向上需要大约12k才能达到0.7*VDD(考虑到从设备的100k引体向上)。
这将导致10倍的电流(330µA而不是33µA)与集成电路的SPI传输。
也许这不是一个问题，我没有计算特定读取速率的主动SPI时间。
然而，也许通过设备的GPIO为奴隶供电是一个更好的选择，并且只有在固件加载后才打开它们。
对此有什么想法吗?
致以最亲切的问候
约翰内斯
嗨gme_johannes,
我认为你的意思是通过gpios来启动外部设备，所以当引导加载程序执行时，它们默认被下拉，所以它们不会在任何SPI命令中应答，只有当设备启动时才会激活那些gpios。我不赞成这种做法，从gpio供电设备，还没有测试它，但它听起来不错，只要传感器保持在指示源电流gpio的能力，约4.8mA。
由于MT_dialog
谢谢你的评论。
我知道4.8mA的极限，并且直到最近才注意到，磁力计(BMM150)有一个20mA的峰值电流draw(尽管它可能保持在4.8mA以下，带有适当的去耦帽)。
尽管如此，我还是会放弃这个想法，因为这不是一个干净的解决方案。
就像您之前指出的那样，使用辅助引导加载程序并根据我的喜好配置引脚似乎是最优雅的解决方案。
最好的问候,
约翰内斯