我有一个基于DA14580标签应用说明的接近设计。目前正在进行BLE 4.1认证测试,未通过“最大频率漂移”测试。
我已经附上了测试所的报告。我正在确认16M晶体是“调好”的,但现阶段这是我们根据工厂的假设。你能解释一下吗,还有什么需要我们做的吗?
问候
安东尼
嗨麦克斯韦森林,
你能告诉我你使用的SDK是什么吗?
由于MT_dialog
嗨,麦克斯韦,
另外,可否提供原理图、BOM和图纸,以便查看?
你好,
最初的设计是使用DA-14580封装芯片的原型,生产是使用一个模具。原理图与邻近标签应用程序相同,尽管我们正确地实现了FLASH的FET控制,但在Dialog提供的代码中没有操作。
注意,在天线调谐组件位置“L2”现在是1.5pF电容,位置“C9”现在是15nH电感。
还请注意,在原理图上还有其他组件没有安装,供将来使用:
不安装:D2, D3, D4, R7, R8, R9, LS1 R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, Q1。
还请注意,还有一些额外的焊盘用于Wire键合出测试。
我的S/W的家伙是休假,但我将回到你很快与SDK细节
这张示意图是保密的。
请暂时搁置,我可以确认16M晶体没有校准,平均是-22ppm的低频率。
我们将更正并重新测试,并保持您的消息。
大家好,我们使用的SDK是5.0.3。
嗨MaxwellForest,
机票有新的消息了吗?你重新测试过设备了吗?
这是一场虚惊。16M晶体在测试前没有在工厂校准。校准解决了这个问题。
嗨麦克斯韦森林,
你能告诉我你使用的SDK是什么吗?
由于MT_dialog
嗨,麦克斯韦,
另外,可否提供原理图、BOM和图纸,以便查看?
由于MT_dialog
你好,
最初的设计是使用DA-14580封装芯片的原型,生产是使用一个模具。原理图与邻近标签应用程序相同,尽管我们正确地实现了FLASH的FET控制,但在Dialog提供的代码中没有操作。
注意,在天线调谐组件位置“L2”现在是1.5pF电容,位置“C9”现在是15nH电感。
还请注意,在原理图上还有其他组件没有安装,供将来使用:
不安装:D2, D3, D4, R7, R8, R9, LS1 R10, R11, R12, R13, R14, R15, R16, Q1。
还请注意,还有一些额外的焊盘用于Wire键合出测试。
我的S/W的家伙是休假,但我将回到你很快与SDK细节
这张示意图是保密的。
问候
安东尼
请暂时搁置,我可以确认16M晶体没有校准,平均是-22ppm的低频率。
我们将更正并重新测试,并保持您的消息。
问候
安东尼
大家好,我们使用的SDK是5.0.3。
嗨MaxwellForest,
机票有新的消息了吗?你重新测试过设备了吗?
由于MT_dialog
这是一场虚惊。16M晶体在测试前没有在工厂校准。校准解决了这个问题。