我的邻近设计基于DA14580标签应用笔记。它目前正在进行BLE 4.1认证测试,并且失败了“最大频率漂移”测试。
我已从测试室附上了报告。我确认16M水晶是“调谐”,但在这个阶段,这是我们根据工厂的假设。你能脱掉它吗?有什么需要做的吗?
问候
安东尼
嗨麦克斯韦尔森林,
你能告诉我你正在使用的SDK吗?
谢谢mt_dialog.
嗨Maxwell,
还可以提供,原理图,BOM和布局来看看吗?
你好呀,
初始设计采用DA-14580封装芯片质子键入,生产正在使用模具。原理图与接近标签应用程序相同,尽管我们已经正确实现了Flash的FET控制,但在对话框提供的代码中不可操作。
注意天线调谐组件位置“L2”现在是1.5PF电容,并且位置“C9”现在是15NH电感。
另请注意原理图中没有附加组件,不适合使用:
不合适:D2,D3,D4,R7,R8,R9,LS1 R10,R11,R12,R13,R14,R15,R16,Q1。
还要注意,有线粘合测试有额外的焊盘。
我的s / w joil休假,但我会尽快回复你的sdk细节
这一示意图是私人和机密的。
请把这个搁置在此时,我可以确认16M水晶未被校准,平均意味着它为-22ppm频率低。
我们将纠正这个并重新测试并让您发布。
嗨伙计们,我们使用的SDK是5.0.3。
嗨MaxWelllorest,
机票有没有更新?你是否重新测试了该设备?
这是一个误报。在测试之前,16M晶体尚未在工厂校准。校准修复了问题。
嗨麦克斯韦尔森林,
你能告诉我你正在使用的SDK吗?
谢谢mt_dialog.
嗨Maxwell,
还可以提供,原理图,BOM和布局来看看吗?
谢谢mt_dialog.
你好呀,
初始设计采用DA-14580封装芯片质子键入,生产正在使用模具。原理图与接近标签应用程序相同,尽管我们已经正确实现了Flash的FET控制,但在对话框提供的代码中不可操作。
注意天线调谐组件位置“L2”现在是1.5PF电容,并且位置“C9”现在是15NH电感。
另请注意原理图中没有附加组件,不适合使用:
不合适:D2,D3,D4,R7,R8,R9,LS1 R10,R11,R12,R13,R14,R15,R16,Q1。
还要注意,有线粘合测试有额外的焊盘。
我的s / w joil休假,但我会尽快回复你的sdk细节
这一示意图是私人和机密的。
问候
安东尼
请把这个搁置在此时,我可以确认16M水晶未被校准,平均意味着它为-22ppm频率低。
我们将纠正这个并重新测试并让您发布。
问候
安东尼
嗨伙计们,我们使用的SDK是5.0.3。
嗨MaxWelllorest,
机票有没有更新?你是否重新测试了该设备?
谢谢mt_dialog.
这是一个误报。在测试之前,16M晶体尚未在工厂校准。校准修复了问题。