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SLG59H1126V
SLG59H1126V
HFET1™高压集成电源控制开关
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12v, 18mΩ，6a集成电源开关V在锁定Select和IDS电流监视器输出
所述SLG59H1126V是一个高性能，自供电18毫欧NMOS功率开关设计用于所有4.5至12伏电源轨高达5 A.使用一个专有的MOSFET设计，SLG59H1126V实现了稳定的18毫欧 - [RDSON输入电压范围宽。结合了新颖的FET设计和铜柱互连，SLG59H1126V封装在大电流运行时也表现出了低热阻。SLG59H1126V设计工作在-40°C到85°C范围内，可在低热阻，符合rohs, 1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特性
- 优化电信设备，高性能企业计算，电机驱动
- 18毫欧 - [RDSON
- 最大连续开关电流：6A
- 宽工作电源电压：4.5 V至13.2 V
- 自动的nFET SOA保护
- 2级，针可选VIN过压锁定
- 电容可调浪涌电流控制
特性
- 两级电流限制保护：
- 电阻可调的主动限流
- 固定0.5A短路电流限制
- ON-OFF控制：高电平
- 封装1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18
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- 企业计算与电信设备5V和12V点负载配电
- PCI / PCIe适配卡
- 通用高电压，电源轨开关
- 多功能打印机
- 风扇电机控制
包
STQFN-18（1.6×3.0mm厚）
资源
数据表
- SLG59H1126数据表(925.9 KB)
应用笔记
- AN-1112改进HFET1的VIN瞬态保护(375.58 KB)
- AN-CM-268:在双向应用中应用对话集成电源开关亚博国际官网平台网址（1.44 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流(1.19 MB)
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