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SLG59H1005V
SLG59H1005V
HFET1™高压集成电源控制开关
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22伏,50米Ω,反向阻断3 V集成电源开关在锁定选择和我DS.当前监视器输出
SLG59H1005V是一种高性能，自动为50MΩNMOS电源开关，带背对背反向电流阻塞，设计为所有4.5到22 V电源轨，最多可为3 A.使用专有MOSFET设计，SLG59H1005V实现A.稳定50mΩrDSON跨越宽输入/供电电压范围。在结合新型场效应晶体管设计和铜柱互连，SLG59H1005V封装也展示了低热阻大电流操作。SLG59H1005V设计可在-40℃至85℃范围内工作，具有低热阻、rohs兼容、1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特性
- 优化为电信设备，高性能企业计算，电机驱动器
- 50 mΩRDSON
- 最大连续开关电流：3 a
- 宽操作电源电压：4.5 V至22 V
- 背对背场效应晶体管反电流阻塞，当关闭
- 自动NFET SOA保护
- 4级，引脚可选的VIN过压锁定
- 电容器可调浪涌电流控制
特性
- 两级电流限制保护：
- 电阻可调的主动电流限制
- 固定0.5A短路电流限制
- 开关控制：活跃高
- 软件包1.6 x 3.0 x 0.55 mm STQFN-18
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- Power-Rail切换
- 多功能打印机
- 大型复印机
- 电信设备
- 高性能计算4.5 V和22 V负载点功率分配
- 马达驱动器
包
STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）
资源
数据表
- SLG59H1005V数据表(1.2 MB)
应用笔记
- AN-1112改进了HFET1的VIN暂态保护(375.58 KB)
- AN-CM-269太阳能跟踪器（1.43 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流(1.19 MB)
模拟宏观典
- SLG59H1005V LTSPICE模型(9.93 KB)
- SLG59H1005V PSPICE模型(4.02 KB)
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