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常问问题
常问问题
问：如何配置DataFlash二进制和标准页面大小？
答：DataFlash船用默认页面大小为264或528字节。要在二进制模式下配置DataFlash（256/512字节页面），请参阅上电时的以下步骤：
- 充电。
- 读取状态寄存器字节1，位0。
- 如果这个位为1，那么所有很好，所以开始运行。
- 如果该位为0，则设备配置为264字节页面大小。
- 发送命令0x3d，0x2a，0x80，0xa6以将其更改为“二进制”页面大小。
- 开始运行。这应该只需要一次启动一次。并允许您安装2B和非2B部件，没有任何变化。
问：我需要在设计中替换AT45DB011D。这部分和AT45DB021E之间有什么区别？
答：您可以在此处下载比较。
问：我在哪里可以找到镜片产品的仿真工具？亚博电竞菠菜
A: Visit our仿真工具页。
问：我在哪里可以找到Adesto产品的源代码示例？亚博电竞菠菜
- 答：下载源代码示例应用笔记
问：我在哪里可以找到对Adesto产品的程序员支持？亚博电竞菠菜
- 答：参观程序员支持页面
问：部件号后缀SL954（和SL955）代表什么？
答：这表示产品是二进制页面大小。有关二进制页面大小的详细信息，请参阅产品数据表。
问：我需要在我的设计中替换AT25DF041A。这部分和AT25SF041之间有什么区别？
答：您可以在此处下载比较。
问：部分号后缀SL383代表什么？
答：这表明该产品在磁带和卷轴上发货。
问:我在哪里可以得到板布局建议IONS FOR THE SS (.150 SOIC) AND M (UDFN) PACKAGE TYPES?
A: You can download a PDF with layout suggestions here.
问：我需要从AT45DB641D-CNU转换到AT45DB641E - 使用S或MW包。我可以在哪里获得S（.208 SOIC）和MW [MLF（VDFN）]封装类型的垫布局建议？
A: You can download a PDF with layout suggestions here.
下载AT45DB641E-SHN，AT45DB641E-MWHN
问：我需要更多关于从Dataflash“D”系列的转换（迁移）的技术信息到“E”系列零件。我在哪里可以得到这个？
答：下载指南。
问：我需要在设计中替换AT25DF641。这部分和AT25DF641A之间有什么区别？
答：您可以在此处下载比较。
问：我需要在我的设计中替换AT25F512B。这部分和AT25DN512C之间有什么区别？
答：您可以在此处下载比较。
问：我需要在我的设计中替换AT25DF041A。这部分和AT25DF081A和AT26DF081A之间有什么区别？
答：您可以在此处下载比较。
问：套路闪光产品的推荐回流焊接温度曲线是什么？亚博电竞菠菜
答：我们关注JEDEC的标准。你可以在这里下载。请参见表5-2和图5-1（第7页和第8页）。
Q: WHAT IS THE DIFFERENCE BETWEEN BYTE PROGRAMMING, PAGE PROGRAMMING AND SEQUENTIAL PROGRAMMING? HOW IS SEQUENTIAL PROGRAMMING DIFFERENT FROM PAGE PROGRAMMING?
答：有三种方法来编程串行闪存设备：1）字节，2）页面程序和3）顺序程序。
- Byte programming requires the Command Code, plus three address bytes and then the data byte. When Chip select goes high the byte is programmed to the memory. To program the next byte this sequence is repeated. Command, 3 x Addr, 1 x Data.
- 页面编程类似于字节编程，而是当加载第一个数据字节然后等待设备来编程该数据时，可以保持CS低，并继续到最多256个字节的时钟缓冲。然后，当CS变为高电平时，所有256个字节将被编程为从命令开始时指定的地址位置顺序地址位置。这只能是最多256字节（这是片上SRAM缓冲区的大小）。命令，3 x addr，1 x数据，1 x数据，1 x数据~~~~~~ 1 x数据。
- 顺序程序模式与字节程序相同，但使用内部地址计数器来跟踪使用的最后一个地址。这意味着用户只需要加载第一个数据字节的地址，并且一旦编程，它们就可以发送ADH或AFH命令和下一个数据字节（不需要再次发送3个地址字节）。虽然设备仍然必须等待，但是每个数据字节都被编程，但您不需要继续发送地址信息的事实使整个过程一点更快。命令，3 x地址，1 x数据（等待程序循环），命令，1 x数据（等待），命令，1 x数据（等待）等。
在所有情况下，要编程的地址位置，是否必须首先擦除字节编程，页面编程或顺序编程。在Adesto Fusion Memories上，您可以使用页面擦除（256byte页面）或4kbyte，32kbyte和64kbyte块擦除。
在用户软件方面，顺序编程更容易实现，但页面编程仍将略微更快。字节编程对于需要将一个或两个字节进行编程到随机位置的情况有益。
问：Adesto串行Flash和DataFlash设备的参数CPHA和CPOL是什么？
答：CPOL和CPHA定义时钟模式。CPOL表示SCK的空闲电平（0用于空闲低，1个空转高）。CPHA表示时钟阶段。Adesto设备在Mode-0（CPOL = 0，CPHA = 0）和模式-3中运行（CPOL = 1，CPHA = 1）。