字节/页编程
快速页面擦除
低功耗模式
掉电保护
数据完整性和安全性
DataFlash先进的双SRAM缓冲架构使其成为数据日志记录最有效的内存。它还集成了一套高级功能,可节省系统功耗、降低处理器开销、简化软件开发,并提供全面的数据安全性和完整性选项。
特性
宽Vcc
双SRAM缓冲器
低功耗操作可延长系统电池寿命
字节写入在串行NOR闪存设备中提供串行EEPROM功能
超深断电在>400nA
扩展Vcc操作允许系统内存在整个电压范围内工作
全面的安全性和唯一的ID功能保护设备免受外部篡改
DataFlash™SPI内存
密度 | 产品数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
64 mbit | AT45DB641E | 104兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DB321E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DQ321 | 70 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI,双,四I/O | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DQ321(105°C) | 40 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI,双,四I/O | ●活跃的 | 订单样品 | |
16 mbit | AT45DB161E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
16 mbit | AT45DQ161 | 100兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI,双,四I/O | ●活跃的 | 订单样品 | |
8兆比特 | AT45DB081E | 133兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT45DB041E | 104兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT45DB041E(125°C) | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
2 mbit | AT45DB021E | 70兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB641E-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB641E-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB641E-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB641E-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB641E-MWHN-Y | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB641E-MWHN-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB641E-CCUN-T | UBGA 9CC19 - 6x6 |
AT45DB641E-UUN-T | WLCSP -联系Adesto |
AT45DB641E-SHN2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB641E-MHN2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB641E-MWHN2B-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB641E-CCUN2B-T | UBGA 9CC19 - 6x6 |
AT45DB641E-UUN2B-T | WLCSP -联系Adesto |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB321E-CCUF-T | UBGA 9CC19 - 6x6 |
AT45DB321E-MHF-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB321E-MHF-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB321E-MWHF-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB321E-MWHF-Y | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB321E-MWHF2B-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DB321E-MHF2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB321E-SHF-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB321E-SHF-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB321E-SHF2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB321E-SHFHA-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB321E-SHFHC-T | Soic 208mil 8s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHF-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ321-SHF-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ321-MHF-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DQ321-MHF-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DQ321-MWHF-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DQ321-MWHF-Y | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DQ321-CCUF-T | UBGA 9CC19 - 6x6 |
AT45DQ321-SHF2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ321-MWHF2B-T | MLF VDFN 8MW 8 - 6x8 |
AT45DQ321-MHF2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB161E-MHD-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-MHD-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-MHD2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-MHF-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-MHF2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-MHF-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB161E-SHD-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SHD-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SHD2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SHF-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SHF2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SSHD-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-SSHD-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-SSHD2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-SHF-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB161E-SSHF-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-SSHF-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-SSHF2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB161E-UUF2B-T | 11-WLCSP |
AT45DB161E-UUF-T | 11-WLCSP |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ161-SHF-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ161-SHF-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ161-MHF-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DQ161-MHF-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DQ161-SSHF-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DQ161-SSHF-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DQ161-CCUF-T | UBGA 9CC19 - 6x6 |
AT45DQ161-SHF2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ161-SSHF2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DQ161-MHF2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DQ161-SHFHB-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHB-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DQ161-SHFHD-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHD-T | Soic 150mil 8s1 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB081E-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB081E-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB081E-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB081E-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB081E-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB081E-SSHN2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB081E-SHN2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB081E-MHN2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB081E-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB081E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB081E-DWF | 参见晶圆模具解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB041E-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB041E-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB041E-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB041E-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB041E-SSHN2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB041E-SHN2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB041E-MHN2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB041E-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB041E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB041E-DWF | 参见晶圆模具解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB021E-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB021E-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB021E-MHN2B-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT45DB021E-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB021E-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB021E-SHN2B-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB021E-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB021E-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB021E-SSHN2B-T | Soic 150mil 8s1 |
AT45DB021E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB021E-DWF | 参见晶圆模具解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHFHB-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DQ321-SHFHB-T | Soic 208mil 8s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SHNHT-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB041E-SHNHT-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT45DB041E-SSHNHT-B | Soic 105mil 8s1 8 |
AT45DB041E-SSHN-T | Soic 105mil 8s1 8 |
美光M25PE替换
密度 | 产品数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
16 mbit | AT25PE16 | 85兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
8兆比特 | AT25PE80 | 85兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT25PE40 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
2 mbit | AT25PE20 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE16-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE16-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE16-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE16-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE16-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT25PE16-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE20-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE20-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE20-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE20-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE20-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT25PE20-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE40-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE40-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE40-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE40-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE40-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT25PE40-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE80-SSHN-B | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE80-SSHN-T | Soic 150mil 8s1 |
AT25PE80-SHN-B | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE80-SHN-T | Soic 208mil 8s2 8 |
AT25PE80-MHN-Y | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
AT25PE80-MHN-T | UDFN 8MA1 8 - 5x6 |
小页擦除
NOR闪存系统增强灵活的RW SRAM缓冲器
DataFlash™SPI内存产品亚博电竞菠菜
产品 | 商店 | ||||
---|---|---|---|---|---|
AT45DB641E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB321E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ321 | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ321(105°C) | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB161E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ161 | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB081E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB041E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB041E(125°C) | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB021E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
您不能再在此页面上发表问题或评论。所有产品论坛上的活动yabo国际娱乐网站已经迁移到一个叫做RenesasRulz.瑞萨电子公司(“瑞萨”)将成为服务提供商和处理器,代表Dialog Semiconductor PLC管理这一举措。yabo国际娱乐(“yabo国际娱乐半导体”对话框)。请把你的问题张贴在那里:
内存
4个月前
AT25SL128A进入保护扇区状态
发布的ArunH97点 8回答说你好,
我有一个基于AT25SL128A的设计。我从standardflash.c开始,从Adesto github网站上对它进行测试,所有测试都通过了。所以我假设我的SPI集成在我的MCU上很好。
然后,我将它设置为一个更长的测试,以便它可以继续写入/读取数据,然后绕到内存的起始位置。然后我擦除4K扇区,回收它用于写作。
然而,当我在换行后读回4K擦除后的数据时,我发现我总是读全0。进一步检查发现,状态寄存器1的值为0xFC,这意味着所有保护位都被设置为1。
Q1:这不是我做的,所以我想知道你是否有什么建议,闪光是否会由于任何触发而自己进入这种状态?
Q2:或者只有MCU把这个值写给它才会发生?
注1:我能够通过向状态寄存器1写入一个新值来恢复到工作状态,但我想检查如何在将来避免这种情况。
Note2:状态寄存器2为0x00,这是默认值。它没有改变。
谢谢!
-阿伦
4个月前
你好戈登,
github驱动程序和测试本身似乎完全没问题。
奇怪的是,这只发生在包装回第一个扇区,这就是为什么我想我要问的问题,即,如果一个已经写的扇区需要在擦除或写入或读取之前不受保护。
这似乎不太可能,但这是我第一次使用闪光灯,所以我想我应该问一下。
我还不能重复这一点,但它发生在两个单位,都在环绕。
如果这种情况再次发生,我会尽量获得更多的信息。
谢谢你的回复!
4个月前
你能给我更深入地描述一下“缠绕”的情况吗?
谢谢
4个月前
你好戈登,
通过“环绕”,我的意思是我写数据(读取滞后数据)直到闪存的结束,然后我返回到闪存的开始。因此,在我再次写入之前,我已经在那里写入了数据,我必须擦除4K扇区(4K扇区号为0)。
谢谢,
阿伦
4个月前
嗨ArunH,
刚和我们SW团队的人谈过。这些驱动程序是由一个实习生编写的,以帮助我们演示闪存部件,并在NXP和ST控制器上进行了测试。请注意,这些驱动程序使用“位敲击”方法,其中IO引脚用于模拟SPI硬件。这使得它们稍微慢一些,并且没有充分利用可用的SPI总线硬件。也就是说,他们应该在任何控制器上工作,不应该在没有主机程序请求的情况下保护Flash。
你能让我们知道你正在使用的处理器,以及更多关于何时发生这种“环绕”的信息吗?
问候
4个月前
你好戈登,
我没有使用来自驱动程序的位敲击技术,我用我正在使用的MCU (SiLabs EFR32BG22)的SPI代码替换了它。一般来说,这工作得很好,没有发现任何问题,除了这个情况。对不起,我之前忘了提这一点,我使用的是standardflash.c不变,接口到MCU SPI代码。
当写入到flash的末尾(16MByte限制),然后返回到地址0或4K扇区号0时,就会发生环绕。数据回读失败,即只回读0,而不是真正的数据。我不能说写失败了,写了0,还是读失败了,读了0。
感谢确认这不是预期在闪存上没有主机程序实际上指挥这,不管使用的驱动程序。这正是我想从你这得到的。
问候,
阿伦
4个月前
谢谢你的反馈。我将把这个停在这里,但如果有更多的问题,请再次打开这个线程。
1个月前
我在使用AT25S时也经历过相同或非常相似的行为F128 a。我使用的是我自己的代码(不是来自GitHub的代码),它已经为我们的第一个原型工作了数周。在对最终产品进行测试期间,其中一个闪存设备以某种方式被写入保护(状态寄存器1的值是0xFC)。我的代码不包括任何“写状态寄存器”命令,我完全不知道是什么触发了写保护。在清除状态寄存器后,可以再次写入闪存,但我仍然不明白为什么这是必要的。
4个月前
你好,阿伦,
我自己没有使用过GitHub的驱动程序,但使用过AT25SL128A,它不应该保护自己。您是否能够分解您的测试以查看STATUS reg 1何时被更改?我也会问问我们的一些软件工程师,如果他们看到车手有任何问题。