轨到轨I / O 375 nA四OpAmp断电
SLG88104是宽电压范围,375 nA四通道CMOS运算放大器输入轨到轨输入和输出操作的能力。每个放大器可以单独关闭。
生命周期状态
特性
电源电压:1.71 V至5.5 V
低静态电流:375 nA /放大器(typ)
轨到轨输入/输出
低偏移电压:200±µV (typ)
低抵消漂移:1µV /˚C (typ)
直流精度:
- PSRR: 115分贝
- CMRR: 100分贝
- AOL: 120分贝
Zero-Crossover
带宽增益积:10千赫(typ)
工业温度范围:-40˚C 85˚C
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包和订购
SLG88104V:STQFN-20 (2.0 x 3.5 x 0.55毫米,0.4毫米间距)
产品ID后缀表明包装风格。
本产品提供一个包:
SLG88104V:STQFN-20 (2.0 x 3.5 x 0.55毫米,0.4毫米间距)
轨到轨I / O 375 nA四OpAmp断电。包:STQFN-20 (2.0 x 3.5毫米)。
价表:
数量 | 200 - 4999 | 5000 + |
---|---|---|
价格 | 0.355美元 | 0.341美元 |
SLG88104V评估板。
GreenPAK和GreenFET
5个月前
SLG46580平行输出
发布的j4cbo50分 5回复我有一个应用程序,这个应用程序需要一个LDO通道与350 ma的输出和另一个LDO通道50 ma。
可以使用一组SLG46580, LDO0, LDO1 LDO2相同的电压,和并行输出450 ma的能力吗?
5个月前
谢谢!我将使用一个3 + 1配置3的输出是平行的,另一个是独立的,所以SLG46583不会工作。
另一个问题:
数据表说“如果LDO的期望状态后冷启动,然后一个电压故障可能出现在输出电压与冷启动~ 2 - 3女士当SLG46582控制。”
有什么指导如何严重,故障,或减轻它的方法吗?例如,如果一个输出对地短路,电流可以多少在这2-3ms创业吗?可能的“故障”导致过电压下游设备?
5个月前
你好,
我想这可能发生只有当VDD和LDO同时应用(P沟道MOSFET栅是0 v MOSFET是自动打开)。所以减少你能等到在然后应用LDO芯片驱动。它不会产生过电压,自582年以来没有这个函数。
亲切的问候
Shivani
5个月前
我担心的是,如果我有一个与5伏特LDO LDO供应1.8 v到另一个电路,配置和Greenpak MOSFET 3毫秒,而芯片上就完全是在穷,那么结果可能应用5伏特,电路并摧毁它。“可能发生”不够好,我需要确保设备不会破坏本身。
如果我需要外部延迟应用LDO,然后要求:这是一个很多额外的组件(
5个月前
你好,
谢谢你的接触。是的他们可以并行连接提供了输入连接和设置都是一样的。另一个方法是使用SLG46583 LDO额定在600 ma
亲切的问候
Shivani