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这iW673推荐用于新设计。
同步整流控制器取代肖特基二极管
iW671二次侧同步整流控制器补充了Dialog的几个一次侧控制器,以提供高功率密度电源和电源适配器所需的高效率。iW671采用专有的数字自适应关断控制技术,用MOSFET替代二次侧肖特基二极管,用于高功率密度电源。传统的同步整流设计需要使用肖特基二极管与同步整流并行以保持效率,这是一种固有的高成本方法,而iW671中的自适应控制将死区时间最小化,消除了这种需要。iW671比它所取代的二极管更有效率,也比传统的同步整流器更有效率。
通过集成的自适应电压监控功能,IW671与IW1766C1初级侧PWM控制器配合使用,以实现具有较低输出纹波,超低待机电源和超快速动态负载响应的小型电源所需的高功率密度(DLR)。
生命周期状态
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NRND
特性
消除并联肖特基二极管
- 效率更高,更低的BOM成本
超快速动态载荷响应(DLR)
- 集成自适应电压位置监视器
超低无负载工作电流<0.65mA
超低无负载待机功率
- <15mW (iW1766C1 + iW671)
宽输入电压范围可达30V
集成的,优化的5V MOSFET栅极驱动器
集成脉冲线性稳压器的操作,降低到2V电源电压
与iW1699, iW1699B, iW1760, iW760B, iW1766, iW1767一起工作
IW1766C1,IW1787优化,使用IW671进行最低输出纹波
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IW1766C1 + IW671:智能手机,媒体平板电脑的紧凑型电源适配器