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SLG59H1127V

高压格林fet负载开关

slg59h1127.png

A 12v, 15 mΩ, 4a负载开关与内部V锁定,的错& Power Good Output

SLG59H1127V是一款高性能,自供电15 mΩ NMOS负载开关,专为所有4.5到12v电源轨道,最大4a。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1127V实现稳定的15 mΩ RDS跨宽输入电压范围。在结合新的FET设计和铜柱互连,SLG59H1127V封装也表现出低热阻的大电流运行。设计工作在-40°C到85°C范围,SLG59H1127V可在低热阻,符合rohs, 1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特性

优化的电信设备,高性能企业计算,电机驱动

15米ΩRDS

最大持续电流:4a

宽工作电压:4.5 V到13.2 V

自动net SOA保护

内部14.4 V过电压保护装置

电容可调涌流控制

两级限流保护:

  • 电阻可调有功电流限制
  • 固定0.5A短路电流限制

排水明沟的错信号

Open-drain Power Good (PG)信令

开关控制:有源高

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企业计算和电信设备5V和12V负载点配电

PCI /作为PCIe适配器卡

通用高压,动力轨开关

多功能打印机

风扇电机控制

STQFN-18 (1.6 x 3.0 x 0.55 mm)

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数据表
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SLG59H1127V数据表(1.16 MB)
应用笔记
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AN-CM-268:应用对话框双向应用GreenFET负载开关亚博国际官网平台网址(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框的负载开关最大工作电流(943.55 KB) 22/02/2019 1.0
模拟宏模型
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SLG59H1127V LTspice模型(9.77 KB)
SLG59H1127V PSpice软件模型(3.99 KB)
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GreenFET负载开关简介

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高压格林fet负载开关简介

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负载开关网络研讨会第1部分

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负载开关网络研讨会2

hfet.png

A 4mm²,12v, 15 mΩ, 4 A负载开关与V过压保护,内部net SOA保护,Power Good Output。封装:STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)。

价表:

数量 100 - 2999 3000 +
价格 0.454美元 0.363美元
SLG59H1127V
0.454美元
HFET1评估板

SLG59H1127V的评估板

SLG59H1127V评估板
30.00美元